Մոտ երկու տասնամյակ տևած ուսումնասիրությունից հետո Micron-ը նախատեսում է շարունակել փոքրացնել սովորական հիշողության բջիջները, իսկ հետագայում անցնել ուղղահայաց շերտավորված DRAM-ի։
Մոտ երկու տասնամյակ տևած ուսումնասիրությունից հետո Micron-ը հրաժարվել է 4F² DRAM-ից։ Ընկերության գնահատմամբ՝ այդ կառուցվածքը բարդացնում և թանկացնում է արտադրությունը՝ առանց չիպի վրա տեղավորվող հիշողության ծավալի՝ ծախսերն արդարացնող աճի։ Ուստի Micron-ը նախատեսում է շարունակել փոքրացնել սովորական 6F² բջիջները։ Tom’s Hardware-ը որոշման մասին մանրամասներ է հրապարակել հոկտեմբերի 22-ին։
Micron-ը հստակեցրել է, թե 4F²-ից հրաժարվելուց հետո ինչ տեխնոլոգիաներ է նախատեսում կիրառել․ ավելի ուշ արտադրական գործընթացում՝ կիսահաղորդչային թիթեղների միացում, հաջորդ սերունդներում՝ չիպի ավելի մանր տարրերի ձևավորում, ինչպես նաև պրոցեսորների վերևում տեղադրվող հիշողության շերտեր։ Tom’s Hardware-ը այս ծրագրերը ներկայացրել է հոկտեմբերի 26-ին։ Խոսքը մշակման փուլում գտնվող տեխնոլոգիաների, ոչ թե արդեն հասանելի հիշողության արտադրանքի մասին է։
Micron-ը նախատեսում է կիսահաղորդչային թիթեղների միացումը ներդնել մշակման փուլում գտնվող 1ε DRAM արտադրական գործընթացում, որը հաջորդելու է 1δ-ին։ Այս մեթոդով միացվում են թիթեղների մակերեսները, սակայն Micron-ը չի հայտնել՝ ինչպես է այն կիրառելու կամ ինչ բարելավում է ակնկալում։ Հետագա սերունդների համար ընկերությունը նախատեսում է կիրառել High-NA EUV՝ չիպի ավելի մանր տարրերի ձևավորման մեթոդ, և նոր նյութեր՝ հիշողության բջիջները շարունակելու փոքրացնել։
Micron-ը նաև մշակում է ուղղահայաց բարձր թողունակությամբ հիշողություն (vHBM)՝ գերբանականության (ԳԲ) համար օգտագործվող պրոցեսորների անմիջապես վերևում, ոչ թե դրանց կողքին, հիշողության բազմաշերտ բլոկներ տեղադրելու համար։ Ակնկալվում է, որ ավելի կարճ միացումները կնվազեցնեն տվյալների փոխանցման համար անհրաժեշտ ժամանակը և կմեծացնեն միաժամանակ փոխանցվող տվյալների ծավալը։ Սակայն պրոցեսորի վերևում հիշողություն տեղադրելը դժվարացնում է հովացումը և սահմանափակում տեղավորվող հիշողության բազմաշերտ բլոկների քանակը։ Micron-ի ակնկալիքով՝ vHBM-ը կլրացնի սովորական բարձր թողունակությամբ հիշողությունը, որը շատ ԳԲ արագացուցիչներում, ըստ ընկերության, կշարունակի ապահովել հիշողության ծավալի մեծ մասը։
W27-ը պահպանել է Galaxy Z Fold 8 Ultra-ի հիմնական սարքավորումները։ Այն հասանելի է մուգ կարմիր կամ մուգ կապույտ գույներով, ոսկեգույն շեշտադրումներով և երկու տարբերակում էլ ունի 16 ԳԲ օպերատիվ հիշողություն։
2 րոպե
Երկրորդ կառուցվածքը՝ ուղղահայաց եզրային եզրահանգումների հիշողությունը (vEIM), նախատեսված է էներգիայի սահմանափակ պաշարով սարքերի, օրինակ՝ ինքնավար մեքենաների և ռոբոտների պրոցեսորների էներգաարդյունավետությունը բարձրացնելու համար։ Micron-ը մշակում է նաև կառուցվածքներ, որոնք ջերմությունը կտարածեն հիշողության ուղղահայաց շերտերով։ Ընկերությունը չի հայտնել vHBM-ի կամ vEIM-ի առևտրային արտադրության մեկնարկի ժամկետները։
DRAM-ը դինամիկ օպերատիվ հիշողությունն է։ 4F² և 6F² նշումները նկարագրում են բջջի մակերեսը՝ չիպի տարրերը ձևավորելու համար օգտագործվող նվազագույն չափի նկատմամբ։ Այդ չափի նույն արժեքի դեպքում 4F² բջիջը տեսականորեն մոտ 33%-ով պակաս մակերես կզբաղեցնի, քան 6F² բջիջը։ Դա կարող է թույլ տալ 50%-ով ավելի շատ բջիջներ տեղավորել կիսահաղորդչային թիթեղի՝ այն սկավառակի վրա, որի վրա արտադրվում են չիպերը, և հնարավոր է՝ նվազեցնել մեկ բիթի արտադրական ծախսը։
Micron-ի նախագահ և տեխնոլոգիաների ու արտադրանքի գծով գլխավոր տնօրեն Սքոթ Դեբուրը 2026-ի հոկտեմբերին ընկերության միջոցառման ժամանակ ասել է, որ բջիջների տեղավորման խտությունը որոշում են լիցքը պահող կոնդենսատորներն ու դրանց միջև հեռավորությունը։ Հիմքում գտնվող տրանզիստորի փոքրացումը պարտադիր չէ, որ փոքրացնի ամբողջ բջիջը։ Micron-ը պատրաստել է փորձարարական 4F² սարքեր, սակայն, Դեբուրի խոսքով, չափերի հետագա փոքրացման դեպքում այդ կառուցվածքը բախվում է ֆիզիկական սահմանափակումների։ Նա չի հստակեցրել դրանք։ Tom’s Hardware-ի վկայակոչած TechInsights-ի տվյալներով՝ Samsung-ի և SK Hynix-ի զարգացման ծրագրերում դեռ ներառված են 4F² բջիջները։ Այդ ծրագրերը չեն հաստատում, որ սկսվել են առևտրային մատակարարումներ։
Micron-ը նախատեսում է մեծացնել սովորական DRAM-ի խտությունը՝ կրճատելով կոնդենսատորների միջև հեռավորությունն ու արտադրության տարրերի չափերը։ 1δ գործընթացով զանգվածային արտադրությունը նախատեսված է 2027-ի երկրորդ կեսին։ Ընկերությունը կանխատեսում է բիթերի խտության աճ՝ նախորդ գործընթացի համեմատ մոտ 25%-ի չափով։
Բացի այդ՝ Micron-ը մշակում է եռաչափ DRAM-ի մի քանի սերունդ, որոնցում հիշողության բջիջները կշարվեն ուղղահայաց՝ դրանց լայնությունը միայն փոքրացնելու փոխարեն։ Դեբուրը դա նկարագրել է որպես զուգահեռ ուղի։ Micron-ը չի բացահայտել այդ հիշողության կառուցվածքը կամ առևտրային թողարկման ժամանակացույցը։ Ընկերության խոսքով՝ դրան կանցնի այն ժամանակ, երբ արտադրական ծախսերը, բարդությունն ու սարքի աշխատանքային բնութագրերը կարդարացնեն անցումը։
Արբանյակային օպերատորը 2027–2034 թվականների ներդրման դիմաց ակնկալում է օգտվել OneWeb-ի ներկայիս թողունակությունից ավելի քան կրկնակի հզորությունից։ IRIS²-ի առաջին ծառայությունները սպասվում են 2030 թվականից։
3 րոպե
Սև, ոսկեգույն և կանաչ տարբերակի նախնական պատվերները սպառվել էին սեպտեմբերին։ Թողարկման օրը Nintendo-ի համալրած պաշարները նույնպես արագ սպառվել են։
1 րոպե
Թարմացում ·
Ավելացվել են կիսահաղորդչային թիթեղների միացման, չիպի ավելի մանր տարրերի ձևավորման և պրոցեսորների վերևում հիշողության շերտեր տեղադրելու Micron-ի ծրագրերը՝ ներառյալ հովացման և տարողության սահմանափակումները։
